Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
454 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Ortak Emitör
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
4912pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
170,71 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
204,852 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
170,71 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
204,852 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 120 | 170,71 TL | 5.121,30 TL |
150 - 270 | 148,006 TL | 4.440,18 TL |
300+ | 140,653 TL | 4.219,59 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
160 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±30V
Maksimum Güç Kaybı
454 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Ortak Emitör
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
4912pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.