Infineon IGW50N60TPXKSA1 IGBT, 600 V, 80 A, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
80 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Transistör Sayısı
1
Maksimum Güç Kaybı
319,2 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
2.38mJ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1950pF
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
103,587 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
124,304 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
103,587 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
124,304 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 103,587 TL | 3.107,61 TL |
| 150 - 270 | 89,827 TL | 2.694,81 TL |
| 300+ | 85,269 TL | 2.558,07 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
80 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Transistör Sayısı
1
Maksimum Güç Kaybı
319,2 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
2.38mJ
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1950pF
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products