Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
62 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
Maksimum Güç Kaybı
188 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1800pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.88mJ
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
128,34 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
154,008 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
10
128,34 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
154,008 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
10
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 10 | 128,34 TL | 1.283,40 TL |
20 - 40 | 121,905 TL | 1.219,05 TL |
50 - 90 | 116,775 TL | 1.167,75 TL |
100 - 240 | 111,645 TL | 1.116,45 TL |
250+ | 103,95 TL | 1.039,50 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
62 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V
Maksimum Güç Kaybı
188 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1800pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.88mJ
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.