Infineon IKW30N65ES5XKSA1 IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stok Numarası: 144-1201Marka: InfineonÜretici Parça Numarası: IKW30N65ES5XKSA1
brand-logo
View all in IGBT'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

62 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

650 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V

Maksimum Güç Kaybı

188 W

Transistör Sayısı

1

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

30kHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kapı Kapasitansı

1800pF

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Enerji Değeri

0.88mJ

Ürün Ayrıntıları

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

128,34 TL

Each (In a Pack of 10) KDV Hariç

154,008 TL

Each (In a Pack of 10) KDV Dahil

Infineon IKW30N65ES5XKSA1 IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

128,34 TL

Each (In a Pack of 10) KDV Hariç

154,008 TL

Each (In a Pack of 10) KDV Dahil

Infineon IKW30N65ES5XKSA1 IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Toptan Satın Al

MiktarBirim FiyatPer Paket
10 - 10128,34 TL1.283,40 TL
20 - 40121,905 TL1.219,05 TL
50 - 90116,775 TL1.167,75 TL
100 - 240111,645 TL1.116,45 TL
250+103,95 TL1.039,50 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

62 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

650 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20 (Continuous) V, ±30 (Transient) V

Maksimum Güç Kaybı

188 W

Transistör Sayısı

1

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

30kHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kapı Kapasitansı

1800pF

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Enerji Değeri

0.88mJ

Ürün Ayrıntıları

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.