Infineon IKW40N60DTPXKSA1 IGBT, 600 V, 67 A, 3-Pinli TO-247

RS Stok Numarası: 133-8572Marka: InfineonÜretici Parça Numarası: IKW40N60DTPXKSA1
brand-logo
View all in IGBT'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

67 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

600 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

246 W

Transistör Sayısı

1

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

30kHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kapı Kapasitansı

1400pF

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Enerji Değeri

1.67mJ

Menşe

China

Ürün Ayrıntıları

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

Infineon IKW40N60DTPXKSA1 IGBT, 600 V, 67 A, 3-Pinli TO-247

P.O.A.

Infineon IKW40N60DTPXKSA1 IGBT, 600 V, 67 A, 3-Pinli TO-247
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

67 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

600 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±20V

Maksimum Güç Kaybı

246 W

Transistör Sayısı

1

Paket Tipi

TO-247

Montaj Tipi

Açık Delik

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Anahtarlama Hızı

30kHz

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kapı Kapasitansı

1400pF

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Enerji Değeri

1.67mJ

Menşe

China

Ürün Ayrıntıları

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.