Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Analog DevicesAmplifikatör Tipi
MMIC
Tipik Güç Kazancı
21 dB
Tipik Çıkış Gücü
23.5dBm
Tipik Gürültü Faktörü
5dB
Yonga Başına Kanal Sayısı
1
Maksimum Çalışma Frekansı
4,5 GHz
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
MSOP
Pim Sayısı
8
Boyutlar
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
3.1mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5 V
Genişlik
3.1mm
Seri
Hittite
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Menşe
Taiwan, Province Of China
Ürün Ayrıntıları
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Analog DevicesAmplifikatör Tipi
MMIC
Tipik Güç Kazancı
21 dB
Tipik Çıkış Gücü
23.5dBm
Tipik Gürültü Faktörü
5dB
Yonga Başına Kanal Sayısı
1
Maksimum Çalışma Frekansı
4,5 GHz
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
MSOP
Pim Sayısı
8
Boyutlar
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Yükseklik
0.95mm
Uzunluk
3.1mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5 V
Genişlik
3.1mm
Seri
Hittite
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Menşe
Taiwan, Province Of China
Ürün Ayrıntıları
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.