Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
700 V
Paket Tipi
TO-251
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3+Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
900 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
68 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
2.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.8mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 18,4 nC
Yükseklik
7.17mm
Seri
DMJ70H900HJ3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
700 V
Paket Tipi
TO-251
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3+Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
900 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
68 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
2.4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.8mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 18,4 nC
Yükseklik
7.17mm
Seri
DMJ70H900HJ3
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları