Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Seri
SIPMOS
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
360 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
İleri Diyot Gerilimi
1.24V
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1,457 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
1,748 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
250
1,457 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
1,748 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
250
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Seri
SIPMOS
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
360 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 1 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
İleri Diyot Gerilimi
1.24V
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.