Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
340 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.45mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.31mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 115 nC
Yükseklik
4.57mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
80.229,00 TL
80,229 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
96.274,80 TL
96,275 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
80.229,00 TL
80,229 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
96.274,80 TL
96,275 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
340 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.45mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.31mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 115 nC
Yükseklik
4.57mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.