Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
15 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
128 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.57mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 37 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.36mm
Yükseklik
15.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.35V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
2.636,70 TL
52,734 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.164,04 TL
63,281 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.636,70 TL
52,734 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
3.164,04 TL
63,281 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 200 | 52,734 TL | 2.636,70 TL |
250 - 950 | 44,838 TL | 2.241,90 TL |
1000 - 2450 | 39,527 TL | 1.976,35 TL |
2500+ | 34,263 TL | 1.713,15 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
15 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
240 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
128 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.57mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 37 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.36mm
Yükseklik
15.95mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.35V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.