Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
34 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
HiperFET, X2-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
540 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
21.45mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.24mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 56 nC
Yükseklik
5.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
289,708 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
347,65 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
289,708 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
347,65 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
34 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
HiperFET, X2-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
540 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
21.45mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.24mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 56 nC
Yükseklik
5.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS