IXYS IXFN82N60P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 72 A, 600 V, 4-Pinli SOT-227B
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
72 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
1,04 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 240 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
38.2mm
Genişlik
25.07mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.560,78 TL
Each (KDV Hariç)
1.872,94 TL
Each KDV Dahil
1
1.560,78 TL
Each (KDV Hariç)
1.872,94 TL
Each KDV Dahil
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
72 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
1,04 kW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 240 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
38.2mm
Genişlik
25.07mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products