Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
2.0 → 6.5mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Yükseklik
1mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
2.0 → 6.5mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Yükseklik
1mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.