Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
6 → 13mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
6 → 13mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.