Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
12 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
700 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
9 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
47,094 TL
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
56,513 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
47,094 TL
Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
56,513 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
12 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-3P
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
700 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
9 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
15.8 x 5 x 20.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.