Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 40mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
85pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
85pF
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Bag)
25
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Bag)
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
min. 40mA
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
25V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
12 Ω
Montaj Tipi
Açık Delik
Paket Tipi
TO-92
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
85pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
85pF
Boyutlar
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.58mm
Yükseklik
4.58mm
Genişlik
3.86mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.