Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
50 to 150mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Yükseklik
0.94mm
Genişlik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
3,483 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
4,18 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
3,483 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
4,18 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
50 to 150mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Yükseklik
0.94mm
Genişlik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.