Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
5 to 30mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
14pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
14pF
Boyutlar
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Yükseklik
1.01mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.04mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
5,504 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
6,605 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
5,504 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
6,605 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
50 - 50 | 5,504 TL | 275,20 TL |
100 - 200 | 3,053 TL | 152,65 TL |
250 - 450 | 2,967 TL | 148,35 TL |
500 - 950 | 2,838 TL | 141,90 TL |
1000+ | 2,365 TL | 118,25 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
5 to 30mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
30V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
14pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
14pF
Boyutlar
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Yükseklik
1.01mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.04mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.