Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
80 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1350 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
394 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
197,542 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
237,05 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
197,542 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
237,05 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 90 | 197,542 TL | 5.926,26 TL |
120 - 240 | 157,122 TL | 4.713,66 TL |
270 - 480 | 149,124 TL | 4.473,72 TL |
510+ | 140,61 TL | 4.218,30 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
80 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1350 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
394 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.