Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
8 V
Paket Tipi
SOT-363
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
320 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Transistör Yapılandırması
N+P Yük Şalteri
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Genişlik
1.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
6,533 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
7,84 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Standart
20
6,533 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
7,84 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Standart
20
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
8 V
Paket Tipi
SOT-363
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
320 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
400 mW
Transistör Yapılandırması
N+P Yük Şalteri
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+8 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Genişlik
1.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.