Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerSO
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
10
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
73 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+165°C
Uzunluk
9.6mm
Genişlik
9.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Tipik Güç Kazancı
14 dB
Yükseklik
3.6mm
Ürün Ayrıntıları
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
790,07 TL
Each (KDV Hariç)
948,08 TL
Each KDV Dahil
Standart
1
790,07 TL
Each (KDV Hariç)
948,08 TL
Each KDV Dahil
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
PowerSO
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
10
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
73 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+165°C
Uzunluk
9.6mm
Genişlik
9.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Tipik Güç Kazancı
14 dB
Yükseklik
3.6mm
Ürün Ayrıntıları
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.