Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
25 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
48,88 TL
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
58,656 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
48,88 TL
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
58,656 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 48,88 TL | 2.444,00 TL |
100 - 450 | 36,895 TL | 1.844,75 TL |
500 - 950 | 31,114 TL | 1.555,70 TL |
1000 - 4950 | 26,367 TL | 1.318,35 TL |
5000+ | 25,709 TL | 1.285,45 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
25 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.