Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
FemtoFET
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
270 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
0.64mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
0 V'de 1570 nC
Yükseklik
0.2mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
0.9V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
5,203 TL
Each (On a Reel of 250) KDV Hariç
6,244 TL
Each (On a Reel of 250) KDV Dahil
250
5,203 TL
Each (On a Reel of 250) KDV Hariç
6,244 TL
Each (On a Reel of 250) KDV Dahil
250
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
FemtoFET
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
270 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
0.64mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
0 V'de 1570 nC
Yükseklik
0.2mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
0.9V
Ürün Ayrıntıları