Fuji Electric 2MBi300VH-120-50 IGBT Modülü M276, Seri, maks. 360 A, 1200 V, Vidalı
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
FujiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
360 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 kW
Paket Tipi
M276
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Boyutlar
108 x 62 x 30.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
1
Teklif İsteyiniz
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
FujiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
360 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 kW
Paket Tipi
M276
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Boyutlar
108 x 62 x 30.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products