Infineon BFP640ESDH6327 NPN SiGe BJT Transistör, 50 mA, 4,1 V, 4-Pinli SOT-343
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
50 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
4,1 V
Paket Tipi
SOT-343
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
4,8 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
0,5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
45 GHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2 x 1.25 x 0.9mm
Ürün Ayrıntıları
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
589,62 TL
23,585 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
707,54 TL
28,302 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25
589,62 TL
23,585 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
707,54 TL
28,302 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 23,585 TL | 589,62 TL |
| 250 - 600 | 17,702 TL | 442,55 TL |
| 625 - 1225 | 16,536 TL | 413,40 TL |
| 1250 - 2475 | 15,317 TL | 382,92 TL |
| 2500+ | 14,151 TL | 353,78 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
50 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
4,1 V
Paket Tipi
SOT-343
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
4,8 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
0,5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
45 GHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
2 x 1.25 x 0.9mm
Ürün Ayrıntıları
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products