Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
160 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
135 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 39 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
402,30 TL
40,23 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
482,76 TL
48,276 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
402,30 TL
40,23 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
482,76 TL
48,276 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 40 | 40,23 TL | 402,30 TL |
50 - 90 | 38,232 TL | 382,32 TL |
100 - 240 | 36,666 TL | 366,66 TL |
250 - 490 | 34,992 TL | 349,92 TL |
500+ | 32,616 TL | 326,16 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
160 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
135 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 39 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.