Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
35 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
68 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
8.77mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
2.297,55 TL
45,951 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.757,06 TL
55,141 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
2.297,55 TL
45,951 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.757,06 TL
55,141 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 45,951 TL | 2.297,55 TL |
100 - 200 | 35,828 TL | 1.791,40 TL |
250 - 450 | 33,549 TL | 1.677,45 TL |
500 - 1200 | 31,217 TL | 1.560,85 TL |
1250+ | 28,938 TL | 1.446,90 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
35 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
68 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
8.77mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.