N-channel MOSFET,IRFP250N 30A 200V 214W
Teknik Belgeler
Özellikler
İletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
214 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 123 nC
Yükseklik
20.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
15.9mm
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
İletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
214 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 123 nC
Yükseklik
20.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
15.9mm
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products