Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
6 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
547,99 TL
547,99 TL Each (KDV Hariç)
657,59 TL
657,59 TL Each KDV Dahil
1

547,99 TL
547,99 TL Each (KDV Hariç)
657,59 TL
657,59 TL Each KDV Dahil
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 4 | 547,99 TL |
5 - 24 | 493,99 TL |
25 - 49 | 457,27 TL |
50 - 99 | 427,57 TL |
100+ | 397,87 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
6 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.