Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
MDmesh DM2
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
290 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
9.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
10.4mm
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
Standart
5
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
Standart
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
MDmesh DM2
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
290 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
90 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
9.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
10.4mm
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.