Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
450 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
35 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 30 nC
Genişlik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Yükseklik
16.4mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-220FP
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
450 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
35 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 30 nC
Genişlik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Yükseklik
16.4mm
Ürün Ayrıntıları
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.