Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-247
Series
MDmesh DM2
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
79 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Uzunluk
15.75mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 70 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
20.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
9.575,82 TL
319,194 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
11.490,98 TL
383,033 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
9.575,82 TL
319,194 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
11.490,98 TL
383,033 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
TO-247
Series
MDmesh DM2
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
79 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Uzunluk
15.75mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 70 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.15mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
20.15mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.