Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
90 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 23 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
42,011 TL
Each (On a Reel of 4000) KDV Hariç
50,413 TL
Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
42,011 TL
Each (On a Reel of 4000) KDV Hariç
50,413 TL
Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
90 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 23 nC
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.