Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
33 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
44 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.54mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 71 nC
Genişlik
4.69mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
8.77mm
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
34,78 TL
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
41,736 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
34,78 TL
Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
41,736 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 34,78 TL | 1.739,00 TL |
100 - 200 | 27,119 TL | 1.355,95 TL |
250 - 450 | 25,38 TL | 1.269,00 TL |
500 - 1200 | 23,641 TL | 1.182,05 TL |
1250+ | 21,902 TL | 1.095,10 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
33 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
44 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.54mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 71 nC
Genişlik
4.69mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
8.77mm
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.