Site Bakımı

Temel bakım nedeniyle web sitesi 10 Mayıs Cumartesi günü 06:00'dan 10:00'a kadar kullanılamayacaktır. Oluşabilecek bir rahatsızlıktan dolayı özür dileriz.

Infineon IRF630NPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 9,3 A, 200 V, 3-Pinli TO-220AB

RS Stok Numarası: 543-0068Marka: InfineonÜretici Parça Numarası: IRF630NPBF
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

9,3 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

200 V

Series

HEXFET

Paket Tipi

TO-220AB

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

300 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

4V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

82 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 35 nC

Genişlik

4.69mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.54mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Yükseklik

8.77mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.3V

Ürün Ayrıntıları

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRF630N 8.1A 250V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

40,56 TL

40,56 TL Each (KDV Hariç)

48,67 TL

48,67 TL Each KDV Dahil

Infineon IRF630NPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 9,3 A, 200 V, 3-Pinli TO-220AB
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

40,56 TL

40,56 TL Each (KDV Hariç)

48,67 TL

48,67 TL Each KDV Dahil

Infineon IRF630NPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 9,3 A, 200 V, 3-Pinli TO-220AB
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

MiktarBirim Fiyat
1 - 2440,56 TL
25 - 4934,32 TL
50 - 9932,24 TL
100 - 24930,16 TL
250+28,60 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRF630N 8.1A 250V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

9,3 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

200 V

Series

HEXFET

Paket Tipi

TO-220AB

Montaj Tipi

Açık Delik

Pim Sayısı

3

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

300 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

4V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

82 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 35 nC

Genişlik

4.69mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.54mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Yükseklik

8.77mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.3V

Ürün Ayrıntıları

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
N-channel MOSFET,IRF630N 8.1A 250V
Teklif İsteyinizEach (KDV Hariç)