Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.850,20 TL
18,502 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.220,24 TL
22,202 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
1.850,20 TL
18,502 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.220,24 TL
22,202 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
100 - 180 | 18,502 TL | 370,04 TL |
200 - 480 | 17,11 TL | 342,20 TL |
500 - 980 | 15,95 TL | 319,00 TL |
1000+ | 14,79 TL | 295,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.