Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
20 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
430 V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.54 x 4.69 x 15.24mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Automotive Ignition IGBT, Infineon
The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
20 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
430 V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
1kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.54 x 4.69 x 15.24mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Automotive Ignition IGBT, Infineon
The IGBT is optimised for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems. Active voltage clamps on the IGBT Gate-Emitter and Gate-Collector are included in the semiconductor package.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.