Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
171 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
TO-220AB
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 40 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.738,80 TL
34,776 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.086,56 TL
41,731 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
1.738,80 TL
34,776 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
2.086,56 TL
41,731 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
50 - 50 | 34,776 TL | 1.738,80 TL |
100 - 200 | 27,108 TL | 1.355,40 TL |
250 - 450 | 26,082 TL | 1.304,10 TL |
500 - 1200 | 24,678 TL | 1.233,90 TL |
1250+ | 21,924 TL | 1.096,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
171 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
TO-220AB
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
3.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 40 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
4.83mm
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.