Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Yükseklik
2.41mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
545,20 TL
54,52 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
654,24 TL
65,424 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
545,20 TL
54,52 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
654,24 TL
65,424 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 40 | 54,52 TL | 545,20 TL |
50 - 240 | 51,70 TL | 517,00 TL |
250 - 490 | 42,911 TL | 429,11 TL |
500 - 1240 | 37,506 TL | 375,06 TL |
1250+ | 29,892 TL | 298,92 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Yükseklik
2.41mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.