IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B

RS Stok Numarası: 193-739Marka: IXYSÜretici Parça Numarası: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

115 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Seri

HiperFET, Polar

Paket Tipi

SOT-227

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

24 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

700 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

38.2mm

Genişlik

25.07mm

Transistör Malzemesi

Si

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

9.6mm

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

1.376,54 TL

1.376,54 TL Each (KDV Hariç)

1.651,85 TL

1.651,85 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.376,54 TL
22.698,55 TL
34.047,83 TL
45.397,10 TL
56.539,58 TL
67.847,50 TL
79.155,41 TL
810.463,33 TL
911.771,24 TL
1013.079,16 TL
1114.387,08 TL
1215.694,99 TL
1317.002,91 TL
1418.310,82 TL
1519.618,74 TL
sticker-359

1.376,54 TL

1.376,54 TL Each (KDV Hariç)

1.651,85 TL

1.651,85 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.376,54 TL
22.698,55 TL
34.047,83 TL
45.397,10 TL
56.539,58 TL
67.847,50 TL
79.155,41 TL
810.463,33 TL
911.771,24 TL
1013.079,16 TL
1114.387,08 TL
1215.694,99 TL
1317.002,91 TL
1418.310,82 TL
1519.618,74 TL
sticker-359

Toptan Satın Al

MiktarBirim Fiyat
1 - 11.376,54 TL
2 - 41.349,28 TL
5+1.307,92 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

115 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Seri

HiperFET, Polar

Paket Tipi

SOT-227

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

24 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

700 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Uzunluk

38.2mm

Genişlik

25.07mm

Transistör Malzemesi

Si

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

9.6mm

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more