Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
37 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1000 V
Paket Tipi
SOT-227B
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
220 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
890 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
25.07mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 305 nC
Yükseklik
9.6mm
Seri
Polar HiPerFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.5V
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
37 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1000 V
Paket Tipi
SOT-227B
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
220 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
890 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
25.07mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 305 nC
Yükseklik
9.6mm
Seri
Polar HiPerFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.5V
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS