IXYS IXFN64N50P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 61 A, 500 V, 4-Pinli SOT-227B
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
61 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
85 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
700 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
38.23mm
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1.110,52 TL
1.110,52 TL Each (KDV Hariç)
1.332,62 TL
1.332,62 TL Each KDV Dahil
Standart
1
1.110,52 TL
1.110,52 TL Each (KDV Hariç)
1.332,62 TL
1.332,62 TL Each KDV Dahil
Standart
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
61 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
85 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
700 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
38.23mm
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products