IXYS IXGH32N170 IGBT, 1700 V, 75 A, 3-Pinli TO-247AD
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
75 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
16.26mm
Genişlik
5.3mm
Yükseklik
21.46mm
Boyutlar
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
898,78 TL
898,78 TL Each (KDV Hariç)
1.078,54 TL
1.078,54 TL Each KDV Dahil
1
898,78 TL
898,78 TL Each (KDV Hariç)
1.078,54 TL
1.078,54 TL Each KDV Dahil
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
75 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Uzunluk
16.26mm
Genişlik
5.3mm
Yükseklik
21.46mm
Boyutlar
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products