IXYS IXTH12N100L N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 12 A, 1000 V, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1000 V
Series
Linear
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
400 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 155 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
21.46mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
24.133,02 TL
804,434 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
28.959,62 TL
965,321 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
24.133,02 TL
804,434 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
28.959,62 TL
965,321 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
1000 V
Series
Linear
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
400 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
20 V'de 155 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
21.46mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products