Littelfuse MG06400D-BN4MM IGBT Modülü 62MM Modül, Seri, maks. 460 A, 600 V, Panele Monte
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
LittelfuseMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
460 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,4 kW
Paket Tipi
62MM Modül
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
108 x 62 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Littelfuse
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
4.256,04 TL
Each KDV Hariç
5.107,25 TL
Each KDV Dahil
Standart
1
4.256,04 TL
Each KDV Hariç
5.107,25 TL
Each KDV Dahil
Standart
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
LittelfuseMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
460 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,4 kW
Paket Tipi
62MM Modül
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
108 x 62 x 30.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Littelfuse
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products