Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
19 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Paket Tipi
TO220F
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
165 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
35 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
±30 V ac/dc
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 35 nC
Genişlik
4.6mm
Yükseklik
15.7mm
Seri
SUPERFET III
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
88,494 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
106,193 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
88,494 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
106,193 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
19 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Paket Tipi
TO220F
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
165 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
35 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
±30 V ac/dc
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
10.3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 35 nC
Genişlik
4.6mm
Yükseklik
15.7mm
Seri
SUPERFET III
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları