Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
6 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
20,167 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
24,20 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
20,167 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Hariç
24,20 TL
Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON SemiconductorMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
6 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±25V
Maksimum Güç Kaybı
40 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.