Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
QFET
Paket Tipi
TO-220F
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
26 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
62 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 84 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.16mm
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.19mm
Ürün Ayrıntıları
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
QFET
Paket Tipi
TO-220F
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
26 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
62 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 84 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Uzunluk
10.16mm
Genişlik
4.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.19mm
Ürün Ayrıntıları
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.