Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
0.05 to 0.13mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-883
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
0.7pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
0.3pF
Boyutlar
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Uzunluk
1.07mm
Yükseklik
0.41mm
Genişlik
0.67mm
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
1,333 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
1,60 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
1,333 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Hariç
1,60 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
0.05 to 0.13mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Yapılandırma
Tek
Transistör Yapılandırması
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-883
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
0.7pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
0.3pF
Boyutlar
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Uzunluk
1.07mm
Yükseklik
0.41mm
Genişlik
0.67mm
Maksimum Güç Kaybı
100 mW
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.