Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsTransistör Tipi
NPN
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
125 V
Paket Tipi
TO-3
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
200 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
7 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Boyutlar
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teklif İsteyiniz
STMicroelectronics BUT100 NPN BJT Transistör, 125 V, 3-Pinli TO-3
1
Teklif İsteyiniz
STMicroelectronics BUT100 NPN BJT Transistör, 125 V, 3-Pinli TO-3
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsTransistör Tipi
NPN
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
125 V
Paket Tipi
TO-3
Montaj Tipi
Açık Delik
Maksimum Güç Kaybı
300 W
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
200 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
7 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+200°C
Boyutlar
8.7 x 39.5 x 26.2mm