Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,06 nC
Genişlik
0.64mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Texas Instrumentsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,1 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Paket Tipi
PICOSTAR
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.65V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+8 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
1.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1,06 nC
Genişlik
0.64mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
FemtoFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.35mm
Ürün Ayrıntıları